Micro推出PowerMESH IGBT工艺的新系列产品，更加完善了其在家用控制、功率因数、感应加热设备等交互式电力供应上的功能。

PowerMESH IGBT V系列产品采用了带状布局工艺，运用了一种新的载波周期控制。这种机制提高了集电极到发射极的饱和压降，并降低了关断损耗，使得其适合高达50kHz高频应用。

V系列STGP20NC60V、STGW20NC60V分别以TO-220、TO-247封装，均是30A、600V n通道产品。为了避免交叉传导环境，优化了反馈－输入电容比。其中，关断损耗还包括了遗留电流以及恢复能损。

STGW20NC60VD以TO－247封装，组合打包了处于集电极与发射极之间的续流二极管。

STGW40NC60V和STGW40NC60VD则以50A、600V的TO－247封装，同时，STGW40NC60VD与一个反平行二极管组合封装在Max247中。

在额定电流下，这些产品都能工作于150°C，并能提供少于2.5V的集电极－发射极饱和压降。其价格从每10,000数量单元$1.25到$4.50不等。