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INA101的TO-100金属封装电路

出处：computer00 发布于：2007-10-25 00:00:00 | 1913 次阅读

如图所示为INA101的TO-100金属封装电路。如果在噪声或是高阻供电的应用场合，应加电源去耦电容，且在PCB板上电源去耦电容应尽可能靠近。增益由外电路RG电阻决定，G=1+40kΩ／RG。参考公共端(地)必须低阻连接，以确保有良好的共模抑制特性。如果存在有一个0.1Ω串联电阻，将造成共模抑制比降低(低于106dB)。电阻RG的稳定性和温度漂移对放大器工作的影响很大，要注意选取性能稳定的电阻。如果需要高增益，则RG取值将减小(可从公式看出)，这时连线电阻和的接触电阻对放大器的影响就突出出来了。要注意减小这些电阻，以减小放大器的误差，保证放大器能够稳定工作。V0=G(E1-E2)。

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