单结构成的弛张振荡电路如图（a）所示。设的初始电压为0。接通后电源通过电阻R 向电容充电，内部的UA决定于电源电压E（即Ubb）和器件的伏安特性，峰点与谷点也由此而确定。电容电压UC依指数规律上升，在发射极电压达到峰点之前，发射极电流很小，由于流过R1的电流很小，其两端的电压可以忽略。当电压上升的峰点，UC=UP 时，单结晶体管进入负阻区，内部的导通，电容通过导通着的二极管、R1放电，放电电流呈指数规律衰减，该电流经过R1产生压降。此时通过R1的电流由两部分组成，其一是电容的放电电流，其二为电源通过电阻R 和导通着的二极管供给R1的电流。当电容放电使发射极电流Ie到达谷点时，单结晶体管脱离负阻区，内部电阻Rb1的增大，使UA增高，内部二极管再度承受反压，呈阻断状态，Ie消失，电路进入下电容充电阶段。当电容电压在达到峰点电压时，出现又放电。电路中不断重复充电和放电过程，形成振荡，电容电压在峰点电压和谷点电压之间变化，每放电都会在R1上产生一个电压脉冲。电容电压和R1上电压的波形如图所示。