基于IGBT晶体管设计全桥逆变电路
出处：zzg 发布于：2011-07-30 13:36:18 | 3140 次阅读
全桥逆变电路的基本结构图(IGBT作为功率管)电路
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型，是由BJT(双极型)和MOS(绝缘栅型)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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