IGBT无损吸收网络电路原理图
出处：maychang 发布于：2011-08-07 21:54:04 | 2325 次阅读
如图所示该直流电压分600V和1200V两档，特点是低介质损耗、低量、高峰值电流、缓冲极低恢复电荷、防火树脂封装、有导线与外部相连。吸收网络一般选用小功率快恢二极管，它承受低的平均电流和大的峰值电流。特别的是，二极管必须有较低的恢复电荷，如果恢复电荷过大，中储存的能量将不能保证网络在下一个周期复位。本文中的CDE缓冲电容模块封装的超在这一方面有着优异的性能。此外，和电容器并联的必须最小化。应通过改变绕组的结构来减小绕组的寄生电容。采取层绕法的寄生电容，而分段绕和叠绕技术可以减小绕组的寄生电容。
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