通过降低IGBT栅极-发射极电压来限制短路的电流电路
出处：leijeff 发布于：2011-08-08 11:14:55 | 2564 次阅读
绝缘栅双极（Insulate-Gate Bipolar Transistor-IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor-GTR）和电力场效应晶体管（Power ）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
电力MOSFET器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型器件；因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快；但通态降压大，难于制成高压大器件。电力三极晶体管是双极型（其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关器件；因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。
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