IGBT-IPM的R系列内部结构电路图
出处：linqing171 发布于：2011-08-08 12:28:41 | 3773 次阅读
IGBT-IPM的R系列内部结构电路
如图为M57957L/M57958L内部结构和工作原理电路图。IGBT绝缘栅双极型，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IPM即智能，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且内部有过压，过流和过热等故障并可以将检测信号送到CPU。适合驱动电机的变频器和各种。
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