至今单片及混合功率IC几乎都不能获得满意的高频特性。如图1所示电路是三洋厚膜IC STK084G的应用图，在20KHZ以内，输出功率50W,失真率仅为电路主要部分已IC化，故外加零件以大电容量为主。如图2所示为STK084G内部电路。输入级由VT4及VT5组成的电流镜像电路，把PNP差动放大输出变换为单端输出，同时得到较大的增益，中间级处理大的振幅，也决定转换速率，所以应尽量以大电流驱动，VT8组成的共基极电路消除米勒效应所导致的高频特性恶化。
　　VT1与VT6为恒流源偏置电路，可以抵制电源变动造成的影响。VT7则为输出提供偏置，消除基极与发射极之间电压V非线性过渡区，还有温度补偿的作用。
　　输出级采用达林顿连接方式来获得更高的电流放大倍数。以便能输出较大的电流，STK084G是为音响用所设计的，所以应用在其它场合的时候，为了力求高频特性良好，电容器C1和C4的值，宜在保证稳定性的基础上适当减少。C11与R7是为感性负载而设的阻抗补偿电路。电压增益由R6与R5的比值决定，约为34dB,欲想改变，需调整相位C3及其他元件无特殊要求，但是散热与电源容量应予重视。STK系列可使用铝板或专用的散热器。

图1

图2