IGBT / MOSFET 栅极驱动光耦合器基本设计
出处:维库电子市场网 发布于:2023-10-24 17:28:52 | 448 次阅读
ACPL-332J 框图
IGBT/MOSFET 栅极电阻
选择 RG 值时,重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC,我们选择的 RG 在 IC 最大允许功耗额定值范围内,同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从 IGBT 或 MOSFET 的角度来看,栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化 dVCE/dt 和电流变化 diC/dt。因此,当设计人员选择 IGBT 或 MOSFET 时,选择合适的栅极驱动器光耦合器非常重要,因为该驱动器的电流和额定功率决定了 IGBT 或 MOSFET 导通或关断的速度。
IC 最大允许额定功率内的栅极驱动电源操作
栅极驱动光耦合器的功耗是 IGBT/MOSFET 的输出侧功率(红色圆圈)和由于输入 LED 功耗而产生的输入侧功率(蓝色圆圈)的组合。由于驱动集电极开路的电流很小,因此可以忽略用于故障反馈的第二个 LED 的功耗。
计算步骤为:
1. 根据最大??峰值栅极电流计算所需的最小 RG
2. 计算总功耗
3. 将步骤 #2 中计算的输入和输出功耗与 IC 的最大建议功耗进行比较。(如果超过了最大推荐水平,可能需要提高 RG 值以降低开关功率并重复步骤 #2。)
在此示例中,ACPL-332J 的总输入和输出功耗是根据以下条件计算的:
方程组 1
步骤 I:根据 IOL 峰值规格计算 RG 最小值:为了找到峰值充电 IOL,假设栅极最初充电至稳态值 VCC。对于 ACPL-332J,70°C 时 2.5 A 输出的电压降线性近似为 4.5 V(图 3:VOL 与 IOL)。因此应用以下关系:图片3.PNG
VOL 与 IOL
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