许多硅表现出高电流、1V或更高的直流电压。有些类型的电流高达 2-3 A 时的电源故障仅限于 0.5 至 0.6 V，但即使这样也会产生令人无法接受的高损耗。电子电路提供了一种可能的补救措施。
T1的阴极连接正弦电压源，阳极作为参考。C1 通过二极管 D1 以正弦电压峰值充电，即使在负交替期间也向 AO 提供电压。
    IC1的同相输入端置于正弦电压峰值的一半，分压器R1-P1-R3。由于分压器 R2-R4 的作用，仅在正向交替期间，AO 反相输入电位才会高于同相输入。这意味着当阴极电压趋于小于阳极电压时，AO将使T1的漏源沟道导通。
二极管的正向电压是通过 FET 的电流的乘积，他处于导通电阻状态（0.07 欧姆）。
P1 位置决定了阳极 - 阴极电压，该电压开始增加输出电压，其中 T1 入口处发生导通。只需使用连接在 FET 漏极和源极之间的示波器即可精确调整交替。它将被固定在标称直流电流、FET 两端的电压在 FET 驱动交替期间尽可能小的位置。
电路消耗的电流并不比IC1的供电电流高很多。虽然最大电源电压为 36 V AO，但阴极-阳极电压（“二极管”“反向”电压）不得超过 20 V，这是栅极电压 - BUZ10 的最大允许源。