快恢复的内部结构与不同，它属于PIN结型，即在P型、 N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大 大减少了反向恢复时间，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快 恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几 千安培，反向击穿电压（耐压值）可达几百到几千伏。超的反向恢复电荷进 一步减小，使其反向恢复时间可低至几十纳秒。　　通常，5A以下的快恢复晶体二极管采用DO—41、DO—15或DO—27等规格塑料封装， 5～20A的快恢复晶体二极管采用TO—220塑料封装，几十安培的快恢复晶体二极管采用 TO—3P金属壳封装，更大容量（几百安培至几千安培）的管子则采用螺栓型或平板型封装 形式。采用TO—220或TO—3P封装的大功率快恢复晶体二极管，从内部结构看，有单管和 （又称双管）之分。对管内部包含两只快恢复晶体二极管，根据两只晶体二极管接法 的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。5—41（a）是C20—04型快恢复二极管（单管）的内部结构。图5—41（b），（c）分别是C92—02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超 快恢复二极管的构造。它们均采用TO—220塑料封装。部分快恢复晶体二极管的外形如图5—42 所示。