侧电源开关

出处：维库电子市场网发布于：2025-02-05 17:09:37 | 530 次阅读

　　在采用高侧功率的系统中，开关插入正导轨和负载之间。由于通常比P通道类型的N通道可以携带更多的电流，因此优于高载荷的高侧切换。

　　请注意，与P通道功率MOSFET相比，N通道功率MOSFET更便宜，并且具有更高的功率评级。由于它们的构造，N通道的抗性较低。它们耗散相同电流的功率较小，因此可以以较高的功率评级提供。

　　但是，使用N通道MOSFET进行高侧开关显然需要高于连接到源的负载电压高的栅极控制电压。因此，需要某种额外的电路（如下一个会话中讨论）以将门拉到源电压上方。

　　引导电路
　　以下显示了实用/实验性的引导电路，实际上是高度简化的高侧N通道功率MOSFET门设置。

　　在这种情况下，Bootstrap（飞行电容器）C1通过以棘手的方式升高栅极电压来为高侧N通道MOSFET栅极驱动提供足够的能量（值并不重要，因此实验以获取最佳结果）。

　　门驱动器IC
　　有大量专用的门驱动器IC可用于高端N频道MOSFET开关，例如MIC5019，这是具有集成电荷泵的典型高方向N通道MOSFET驱动程序IC。
　　从数据表中，MIC5019是一个高侧MOSFET驱动程序，具有集成的电荷泵，旨在在高方面或低侧应用中切换N通道增强型MOSFET控制信号.
　　它从2.7V到9V电源运行，从3V电源产生9.2V的门电压，并从9V电源中产生16V。在高侧开关配置中，
　　开机时MOSFET接近电源电压。为了保持MOSFET打开，MIC5019输出将MOSFET门电压驱动高于电源电压。

　　请注意，逻辑高的输入信号驱动电源电压上方的门输出，而逻辑低信号则迫使栅极输出在地面附近。