由TB1004充电控制集成电路构成的镍镉电池充电电路
出处：simplorer 发布于：2008-01-27 00:00:00 | 4527 次阅读
由TB1004充电控制构成的镍镉充电电路
本图中设定值为1.488V，适用于1.2V／180mA·h容量的充电。改变Rs／R9比值。可改变基准电压和个数。另外，充电所用镜像电流的大小取决于电路中R1～R3和VT1～VT3。计算公式为：
其中VEBl为VT1的b-e结饱和压降，一般取0.7～1.1V；VCE3 VT3的c-e结的饱和压降，一般取0.3～1V。若用C表示电池的额定容量，则充电电流I取值如下：
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