，本文主要对官方驱动故障进行详细讲解。

从上图的 SIC 驱动电路能够看出，驱动 PWM 信号为 GD_HF_UP 和 GD_HF_DN，这些信号经过 SI8621BC - B - IS 后传输到栅极 IVCR1401 上。IVCR1401 是一款高速 4A 拉、灌电流的 SiC 和 IGBT 驱动芯片，它具备负压生成、退饱和以及 UVLO 设置等功能，是专门为 SiC MOSFET 和 IGBT 设计的。不过，在使用 IVCR1401 栅极驱动芯片时，有一个关键问题需要注意，那就是禁止外接栅极下拉电阻。因为放置一个下拉电阻可能会导致负压在不同的 PWM 占空比下偏离 - 3.5V 左右，从而影响芯片的正常工作。

本人将两路驱动单独整理出一路，如下图所示。

该栅极驱动器芯片外围电路配置主要有以下几个需要重点关注的问题：

1. 退饱和电路：退饱和电路在整个驱动电路中起着关键作用，它能够确保芯片在出现过流等异常情况时，及时将 MOSFET 或 IGBT 从饱和状态中退出，保护芯片不受损坏。
2. 欠压饱和输出提示电路：欠压输出提示引脚（IFAULT）是没有内部上拉电阻的集电极开路输出（OC 门输出），这种设计便于与外部检测芯片进行电平匹配。当检测到退饱和及欠压情况时，IFAULT 引脚和 OUT 均会被拉低。在故障状态消除后，IFAULT 信号将保持低电平 10us，由此可以看出这是一个纯开环的检测机制。

由于采用了两路带有 FAULT（欠压和饱和保护）的电路，因此将这两个信号经过光耦隔离后，通过如上图的 FLT 网络端口，再经过一个与门和一个施密特触发器，直接拉低触发关断该控制芯片的输出欠压保护，从而使芯片关闭。具体情况如下图所示：

UP 和 DN 是欠压和饱和状态的两路输入信号，当处于 1/0 或 0/1 或 0/0 状态时（即两路中有一路或两路出现 Fault），与门的 Y 输出为 0，Q1 由导通变为不导通，CLK 信号产生一个上升沿，D 触发器的数据管脚输入数据（高电平），Q 输出高电平，Q# 输出低电平，Q2 截止，Q3 导通，VDC SEN CTR 就被置低。VDC SEN CTR 连接到芯片的输出欠压保护引脚，将该引脚电压拉低，直接关闭芯片。
D 触发器的功能是对 Fault 状态进行锁存，只有当 UP 和 DN 都为 1，并且 S1 按键按下时，才会解除 Fault 模式。这种设计确保了在故障发生后，能够准确地锁定故障状态，避免误操作，同时也提供了一种可靠的故障解除方式。通过对这个模拟芯片驱动的无桥 PFC 驱动故障检测电路的深入分析，我们可以更好地理解其工作原理和设计思路，为实际的电路设计和调试提供重要的参考依据。