在电子电路领域，推挽电路是一种常见且重要的电路结构，广泛应用于功率放大和信号驱动等方面。本文将详细介绍推挽电路的工作原理、存在的问题以及相应的解决方法，同时结合仿真分析，帮助读者更好地理解和应用推挽电路。

一、推挽电路

推挽电路（Push - Pull Circuit）是一种经典的电子电路结构，主要用于功率放大和信号驱动。它通过两个互补的，即 NPN 和 PNP 晶体管，交替工作，实现对输入信号的放大和输出。

在推挽电路中，当输入信号处于正半周期时，NPN 晶体管导通，PNP 晶体管截止，电流从通过 NPN 晶体管流向负载；而当输入信号处于负半周期时，PNP 晶体管导通，NPN 晶体管截止，电流从负载通过 PNP 晶体管流向地。两个交替工作，将输入信号的正负半周期合成一个完整的输出信号。

推挽电路具有诸多优点，其中一个显著的优势是效率较高。由于两个晶体管交替工作，几乎没有静态功耗，能够有效地将输入信号的能量转换为输出信号的能量。然而，推挽电路也存在一些问题。在输入信号接近零时，两个晶体管的切换可能不完全同步，而且输入信号比输出信号少一个 Vbe 压降，这就导致了交越失真（Crossover Distortion）的出现。交越失真会使输出信号在正负半周期的交界处产生失真，影响信号的质量。

二、增加偏置，克服交越失真

为了克服交越失真，可以在推挽电路中增加偏置。通过使用两个 D1 和 D2，使 Q4 的基极比输入信号高一个二极管压降，Q3 的基极比输入信号低一个二极管压降。这样，当输入信号为 0 时，Q3 或 Q4 总有一个保持在导通状态，从而避免了两个晶体管同时截止的情况，减少了交越失真。

然而，加偏置后的推挽电路也存在一些不足之处。每个三极管仅在半周内导通，其热稳定性不佳。当输出三极管升温时，Vbe 下降，静态电流增加，产生的热量会使情况更糟糕，可能导致 “热失控” 现象。热失控会使电路的性能不稳定，甚至可能损坏晶体管。

三、采用小发射极电阻来改善热温度特性

为了改善推挽电路的热稳定性，可以在推挽跟随器中采用小发射极电阻。

在这个电路中，R7 是集电极电阻，它起到限制集电极电流的作用。R6 的作用是保证两个三极管 Q6、Q5 基极电压大于两个二极管压降，确保 Q6、Q5 处于放大状态。R8 和 R9 则为临界静态电流提供缓冲保护，其电压越大，对温度的灵敏度越小，Vbe 的温度变化就不会引起其集电极电流的上升。
通过对电路进行调整，可以得到如图所示的电路。其中，Q11 是可调二极管，通过调节 R13 可控制集电极 - 发射极的压降。D6、D5、R12、Q12、R18 可根据需求，设置需求静态电流。这样，通过合理选择和调整这些元件的值，可以有效地改善推挽电路的热稳定性，减少热失控的风险。