TPIC6B259DW的技术参数

产品型号:TPIC6B259DW漏源电压最大值(V):50工作电流(μA):20连续输出电流(mA):150峰值输出电流(A):0.500静态漏源导通电阻(Ω):4.200传输延迟时间(ns):150输入兼容性:CMOS封装/温度(℃):20SOI

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1637 关键词：TPIC6B259DW