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FDC640P

更新时间:2025-07-09 06:34:44

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FDC640P
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

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8月4日

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FDC640P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6

封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

FDC640P 概述

FDC640P是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，非常适合用于便携式设备中的电源管理应用。其最大漏源电压Vds为-20V，连续漏极电流Id在25°C时为-2.3A，在70°C时为-1.8A。该MOSFET具有低导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高效率。典型的应用场景包括负载开关、电池充电电路以及各种消费电子产品的电源控制线路。由于其紧凑的尺寸和良好的电气特性，它常被集成到智能手机、平板电脑等对空间要求严格的设备中。使用时需注意避免超过最大额定值，并且确保正确的栅极驱动以实现最佳性能。

FDC640P 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
890pF @ 10V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDC640P-ND

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