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IRF5800TRPBF

更新时间:2025-06-12 19:31:48

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IRF5800TRPBF
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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SOT236/25+
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一级代理/全新原装现货/长期供应

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优势产品大量库存原装现货

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一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理

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公司现货库存，假一赔十

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现货如非原装假一罚十

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专注场效应MOS管,LDO电源 ESD静电管

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Micro6(TSOP6)/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

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INFINEON/英飞凌
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原装现货，可提供订货服务

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9800
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SOT236/23+
一级代理原装现货

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INFINEON/英飞凌
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现货假一罚万只做原厂原装现货

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IRF5800TRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

封装:6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）

IRF5800TRPBF 概述

IRF5800TRPBF是由Infineon Technologies生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的功率MOSF8制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。它被封装在紧凑的PowerPAK SO-8封装中，适合空间受限的应用。这款MOSFET专为高效功率转换应用设计，在10V栅极驱动下最大导通电阻仅为4.5mΩ（典型值），适用于直流-直流转换器、负载点(POL)调节器以及电池充电管理电路等。其工作电压范围宽泛，能够支持从便携式设备到工业电源系统等多种应用场景。使用时需注意栅极驱动电压要达到规定要求以确保完全开启，同时要考虑PCB布局以优化散热性能。在实际电路设计中，推荐查阅官方数据表获取详细的电气参数和建议的外围元件配置。

IRF5800TRPBF 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
535pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
供应商设备封装
Micro6?（TSOP-6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRF5800TRPBF-NDIRF5800TRPBFTR

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