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AO3407

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AO3407 概述

AO3407是由Alpha & Omega Semiconductor公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为30V，适用于多种低压应用。典型应用场景包括负载开关、电源管理、电机驱动以及便携式设备中的DC-DC转换器等。在电路设计中，建议确保栅极驱动电压足够以实现最低的导通电阻，同时注意散热设计以保证长期稳定工作。对于需要高效能量转换和紧凑布局的应用，AO3407是一个理想选择。

AO3407 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
520 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式

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