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STL150N3LLH6

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IC现货资源推荐优势:品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心]
STL150N3LLH6的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

STL150N3LLH6外观图

  • 其它有关文件:STL150N3LLH6 View All Specifications
  • 特色产品:STripFET? Series V Power MOSFETs
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:150A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.4 毫欧 @ 16.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4040pF @ 25V
  • 功率 - 最大:80W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装:PowerFlat?(6x5)
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-10419-6
STL150N3LLH6 相关信息
  • ST推出全新系列30V表面贴装功率晶体管
    ...PAK?、通孔IPAK和SOT23-6L,兼容现有的焊盘/引脚布局,同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的STripFET VI DeepGATE产品系列可以创造出最大的市场机遇。 首批采用新工艺的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5×6mm PowerFLAT封装,单位面积导通电阻RDS(ON)达到市场最低水平;STD150N3LLH6采用DPAK封装,导通电阻 RDS(ON)为2.4毫欧。 两款产...
STL150N3LLH6相关热门型号
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