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      厂家：SAMSUNG [Samsung semiconductor]
      内容：64M x 8 Bit NAND Flash Memory

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    • 其它信息：
      电源电压：VCC＝2.7～3.6V； 结构：存储器单元阵列：(64M＋⒛48K)×8位,数据存储器：〈512＋16)×8位； 自动编程和擦除：页编程：(512＋16)字节,块擦除：(16K＋512)字节；528字节页读操作：随机存取：10μs(最大值),串行访问：60ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)； 指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 指令存储器操作； 封装：48引脚的TSOP封装
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