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MUN5330DW1T1G

更新时间:2025-06-15 12:17:25

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MUN5330DW1T1G 概述

MUN5330DW1T1G是一款由安森美半导体生产的双NPN/PNP小信号晶体管对，采用超紧凑的SOT-363封装。该器件具有低噪声和高电流增益的特点，非常适合用于需要精密放大和开关控制的应用场合。其典型应用包括手机、便携式设备中的音频放大器、信号处理电路以及电源管理模块。在音频电路设计中，可直接替换其他标准封装的晶体管对，简化设计流程并节省PCB空间。使用时应注意合理布局以避免热耦合影响性能，建议在靠近晶体管位置放置去耦电容以提高稳定性。

MUN5330DW1T1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
1k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
1k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
3 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)

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