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SI2319CDS-T1-GE3

更新时间:2025-05-15 19:48:26

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SI2319CDS-T1-GE3 概述

SI2319CDS-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的P沟道MOSFET，采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于便携式设备中的电源管理应用，如负载开关、充电电路和DC-DC转换器。其最大漏源电压（VDS）为-20V，连续漏极电流（ID）在25°C时可达-2.8A。该MOSFET的栅极阈值电压较低，便于通过标准逻辑电平进行驱动。由于其小尺寸封装和高效能表现，特别适合于空间受限且需要高效率的应用场景。使用时应注意防止静电损坏，并确保电路设计符合其电气参数要求。

SI2319CDS-T1-GE3 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
77 毫欧 @ 3.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
595pF @ 20V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷 (TR)
其它名称
SI2319CDS-T1-GE3TR

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