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STF18NM60N

更新时间:2025-07-03 13:12:46

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STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP

封装:TO-220-3 整包

STF18NM60N 概述

STF18NM60N是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高压应用场合。其最大漏源电压Vds可达600V，连续漏极电流Id为18A，在高频开关电源、电机驱动和逆变器等应用中表现出色。这款MOSFET具有较低的导通电阻Rds(on)，有助于降低开关损耗，提高系统效率。它支持高达500kHz的开关频率，非常适合用于设计紧凑高效的电源转换电路。在电机控制应用中，可用于驱动三相无刷直流电机的功率级。使用时应注意栅极驱动电路的设计，确保栅极电压足够以完全开启MOSFET，同时要注意散热设计以保证器件稳定工作。

STF18NM60N 规格参数

其它有关文件
STF18NM60N View All Specifications
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
285 毫欧 @ 6.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 50V
功率 - 最大
30W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件
其它名称
497-10300-5

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