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STT2PF60L

更新时间:2025-07-03 21:05:20

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STMicroelectronics(意法半导体)
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STT2PF60L

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6

封装:SOT-23-6

STT2PF60L 概述

STT2PF60L是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏极电流为2A，在栅极电压为10V时，导通电阻仅为0.65欧姆。典型的应用场景包括DC-DC转换器、适配器、电池充电器等需要高效率和紧凑设计的场合。由于其封装尺寸较小且热阻较低，非常适合空间受限的设计环境。在实际使用中，建议确保栅极驱动电压足够以达到最低导通电阻，提高系统整体效率。设计电路时需注意散热措施，避免过热导致性能下降或损坏。

STT2PF60L 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫欧 @ 1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
313pF @ 25V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6
供应商设备封装
SOT-23-6
包装
Digi-Reel®
其它名称
497-8045-6

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