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STW9NK95Z

更新时间:2025-05-17 18:14:36

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STW9NK95Z 概述

STW9NK95Z是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh V技术，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于高效能电源转换应用。其最大漏源电压为950V，连续漏极电流可达9A，在高温环境下也能保持稳定的性能。典型应用场景包括开关电源、适配器、LED驱动器以及工业控制设备中的高压电路。在反激式转换器中，这款MOSFET能够显著降低开关损耗并提高整体效率。使用时应注意合理的栅极驱动设计，确保Vgs不超过最大额定值，并选择适当的散热方案以维持长期可靠运行。建议在实际电路设计中参考官方提供的应用指南进行参数配置。

STW9NK95Z 规格参数

现有数量
1,030现货
系列
SuperMESH?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.38 欧姆 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2256 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3

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