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当前位置：维库电子市场网>IC>fdfma2n028z 更新时间:2025-06-29 01:21:14

fdfma2n028z供应商优质现货

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  • fdfma2n028z

  • BOM配单

  • 一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！

  • 上传BOM

  • FDFMA2N028Z

  • 7259

  • FAIRCHILD/仙童

  • NA//23+

  • 优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

  • FDFMA2N028Z

  • 83121

  • ONSEMI/安森美

  • MicroFET6/24+

  • 专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持

  • FDFMA2N028Z

  • 5563

  • FAIRCHILD

  • DFN/0708+

  • 只做原装，也只有原装

  • FDFMA2N028Z

  • 9000

  • FAIRCHILD

  • DFN6/10+

  • 全新原装现货

  • FDFMA2N028Z

  • 138000

  • FAIRCHILD/仙童

  • 08PB/23+

  • 全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

  • FDFMA2N028Z

  • 25000

  • FAIRCHILD/仙童

  • 6MICROFET/22+

  • 只有原装原装，支持BOM配单

  • FDFMA2N028Z

  • 105000

  • ON/安森美

  • DFN20206/23+

  • 十年配单，只做原装

  • FDFMA2N028Z

  • 7300

  • 原装FAIRCHI

  • DFN6/23+

  • 原装现货

  • FDFMA2N028Z

  • 6000

  • ON/安森美

  • DFN20206/-

  • 特价批量支持

  • FDFMA2N028Z

  • 7300

  • 原装FAIRCHI

  • DFN6/25+

  • 行业十年，价格超越代理， 支持权威机构检测

  • FDFMA2N028Z

  • 8000

  • 仙童原装

  • 21+/2024+

  • 原装现货，支持BOM配单

  • FDFMA2N028Z

  • 25000

  • FAIRCHILD/仙童

  • 6MICROFET/22+

  • 只有原装原装，支持BOM配单

  • FDFMA2N028Z

  • 68900

  • FAIRCHILD

  • DFN6/-

  • 一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667

  • FDFMA2N028Z

  • 65428

  • FAIRCHILD

  • DFN/22+

  • 只做现货，一站式配单

  • FDFMA2N028Z

  • 5270

  • FAIRCHILD

  • DFN/21+

  • -

  • FDFMA2N028Z

  • 7436

  • FAIRCHILD

  • -/-

  • 公司现货，进口原装热卖

  • FDFMA2N028Z

  • 150000

  • ON/安森美

  • DFN20206/21+

  • 原装现货，价格优势，支持bom表配单

  • FDFMA2N028Z

  • 9000

  • Fairchild/ON

  • 6VDFN/2024+

  • 原厂渠道，现货配单

  • FDFMA2N028Z

  • 56589

  • FAIRCHILD

  • MICROFET22/1910+

  • 原包装正品现货库存-正规渠道增值税票

  • FDFMA2N028Z

  • 16523

  • Fairchild/ONSemiconductor

  • 6VDFN/18+

  • 原厂原装代理直销/代理渠道价格优势

fdfma2n028z价格行情

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历史最低报价：￥0.0000 历史最高报价：￥0.0000 历史平均报价：￥0.0000

fdfma2n028z中文资料

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货 交货期: 收到订单后12周内

  • 飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

    mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内

  • 飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品

    ch mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

  • 飞兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V应用

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  • 飞兆发布7款全新MicroFET，面向30V和20V应用

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fdfma2n028z替代型号

FDD8880 FDD8424H FDD6696 FDD6682 FDD6035AL FDD4141 FDC636P FDC633N FDC6321C FDC6020C

FDFMA2P029Z FDFMA2P853 FDFMA2P853T FDFMA2P857 FDFMA2P859T FDFME3N311ZT FDFMJ2P023Z FDG6303N FDG901D FDH333

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fdfma2n028z相关热门型号
FSD210 FDD8445 FDN337N-NL FAN5236QSC FDD6030L FS8860-33CJ FZT789ATA FA1L3N-T1B FAN2504S33X FCPF11N60

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