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当前位置:维库电子市场网>IC>fds6676s 更新时间:2025-06-21 00:23:08

fds6676s供应商优质现货

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fds6676s价格行情

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fds6676s中文资料

  • 新型CPU及微处理器低压大电流可编程输出电源设计

    当越低越好; (2)应选择温度性能较好的器件封装形式: (3)额定漏源电压应大于15v; (4)所选mosfet应具有较低的门电荷,特别在高频工作状态时,更是如此。 对于低边mosfet,选择时首先应当考虑的是导通阻抗rds(on),原因是它的高边占空比较小,而导通阻抗对低边mosfet的功耗影响较大,将影响电路的dc/dc转换效率。对于图2电路,由于需要其输出的电流较大,因此电路中的每个通道都使用了两个低边mosfft。本设计中的s2~s3和s5~s6选择的是飞兆公司的fds6676s型mosfet管,该mosfet管的导通阻抗rds(on)为6mω。 在选择高边mosfet时,其门电荷和导通阻抗同样重要。因为高边mosfet的门电荷将影响转换速度并进而影响功耗。因此,应当综合考虑器件的门电荷和导通阻抗。实际上,对于大电流输出应用,如果电路的开关频率较高,高边mosfet也可以使用两个mosfet来进行设计。图2电路中使用的是飞兆公司的一个fds6694作为高边mosfet。 2.2 电感的选择 该电路使用了两个输出电感,而且两个输出电感分别分布在阿个通道上

fds6676s替代型号

FDS6675 FDS6612A FDS6612 FDS6299S FDS6298 FDS4953 FDS4435 FDS3572 FDS01201 FDR8521L

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