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1 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 V...
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FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF FAST REC...
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1.0 AMP FAST RECOVERY RECTIFIERS
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FAST RECOVERY RECTIFIER
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Taiwan Semiconductor
整流器
Fast Recovery Rectifiers
Single
50 V
1.2 V
150 ns
1 A
30 A
5 uA
Through Hole
DO-41
Reel
+ 150 C
- 65 C
5000
R0
快速恢复整流二极管,50V,1A
1.0A,50V
电流参数:IO=1A/IFSM=30A/IR=5A电压参数:URRM=50V/URMS=35V/UDC=50V/UF=1.3V其他参数:trr=150ns备 注:快恢复整流二极管
r5、r13和r2o均选用1/2w金属膜电阻器;rl7选用3w金属膜电阻器或线绕电阻器;其余各电阻器均选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 cl选用耐压值为400v的铝电解电容器;c2、c6、c7、c9、cl2和c13选用独石电容器或涤纶电容器;c4、c5、cl5和ci6均选用高频瓷介电容器;c3和c8均选用耐压值为25v的铝电解电容器;clo、cll和c14均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl和vd4均选用1n4007型硅整流二极管;vd2选用ln5819型整流二极管;vd3选用fr101型快恢复二极管或1n4148型硅开关二极管。 vll-vl3均选用φ5mm的发光二极管。 vl选用3ca5a或bd786、2sb772型硅pnp晶体管;v2选用s9013或3dgl2ob·、2sc945型硅npn晶体管;v3选用3dalo0或2sc2285、2sc5609型硅npn晶体管。 vf选用2n60型场效应晶体管。 icl选用ka3842b型单端输出式脉宽调制开关电源集成电路;ic2选用78肋5型三端稳压集成电路;ic3选用ks86c4104型微处理器集成电路。 ll和l2均选