1000
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原装现货 有单就出，一站式BOM配单 假一赔十
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一级代理商可全系列订货。技术支持可帮开方案
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国产全新长期有货质优价格绝对优势
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46055
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Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
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HEXFET Power MOSFET
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HEXFET Power MOSFET
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HEXFET Power MOSFET
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择，由于本变换器的电 流过大，故采用多股细线并绕的方式。 在输出端用的是同步整流技术，在低电压大电流功率变换器中，若采用传统的普通二 极管或肖特基二极管整流由于其正向导通压降大(低压硅二极管正向压降约0.7v，肖特基二 极管正向压降约0.45v，新型低电压肖特基二极管可达0.32v)，整流损耗成为变换器的主要 损耗，无法满足低电压大电流开关电源高效率，小体积的需要。mosfet导通时的伏安特性为 一线性电阻，称为通态电阻ds r ，低压mosfet新器件的通态电阻很小，如： irf2807(75v,82a)、irl2910(100v,55a)通态电阻分别为0.013ω、0.o26ω，它们在通过20a 电流时，通态压降不到0.2v。另外，功率mosfet开关时间短，输入阻抗高，这些特点使得mosfet 成为低电压大电流功率变换器首选整流器件。mosfet的栅-源问的硅氧化层耐压有限，一旦 被击穿则永久损坏，所以实际上栅-源电压最大值在50-75v之间，如电压超过75v，应该在栅 极上接稳压管.并从成本综合考虑，选用irf2807。需要特别指出的是图中mos管做为整流 管的接法,有，
式和铜线选择，由于本变换器的电 流过大，故采用多股细线并绕的方式。 在输出端用的是同步整流技术，在低电压大电流功率变换器中，若采用传统的普通二 极管或肖特基二极管整流由于其正向导通压降大(低压硅二极管正向压降约0.7v，肖特基二 极管正向压降约0.45v，新型低电压肖特基二极管可达0.32v)，整流损耗成为变换器的主要 损耗，无法满足低电压大电流开关电源高效率，小体积的需要。mosfet导通时的伏安特性为 一线性电阻，称为通态电阻 rds ，低压mosfet新器件的通态电阻很小，如： irf2807(75v,82a)、irl2910(100v,55a)通态电阻分别为0.013ω、0.o26ω，它们在通过20a 电流时，通态压降不到0.2v。另外，功率mosfet开关时间短，输入阻抗高，这些特点使得mosfet 成为低电压大电流功率变换器首选整流器件。 mosfet的栅-源问的硅氧化层耐压有限，一旦 被击穿则永久损坏，所以实际上栅-源电压最大值在50-75v之间，如电压超过75v，应该在栅 极上接稳压管.并从成本综合考虑，选用irf2807。需要特别指出的是图中mos管做为整流 管的接
如图所示为12v转15v、16v、18v、20v、22v、24v可调升压电路图，改变一下电阻，即可改变成15v、16v、18v、20v、22v、24v等不同类型电压值。l1用直径2cm的磁环,1.7的聚酯漆包线紧密穿绕35匝,然后用硅橡胶密封,否则容易产生滋滋声。同时还要注意线路的走向,否则也会产生滋滋声和因走线产生的自激引起场效应管发热和损坏,有条件的可以用uc3843的贴片元件。l2可用废旧的节能灯上的磁环紧密绕制,无特殊要求。 mos1可用75nf75、60n06、irf2807（电瓶车控制器里面的功率管）。 此电路可在15--24v之间任意选择,如走线合理,元器件选择合理一般无须调试即可正常工作。 来源:qick
改变一下电阻，即可改变成15v、16v、18v、20v、22v、24v等不同类型电压值。 l1用直径2cm的磁环,1.7的聚酯漆包线紧密穿绕35匝,然后用硅橡胶密封,否则容易产生滋滋声。 同时还要注意线路的走向,否则也会产生滋滋声和因走线产生的自激引起场效应管发热和损坏,有条件的可以用uc3843的贴片元件。 l2可用废旧的节能灯上的磁环紧密绕制,无特殊要求。 mos1可用75nf75、60n06、irf2807（电瓶车控制器里面的功率管）。 此电路可在15--24v之间任意选择,如走线合理,元器件选择合理一般无须调试即可正常工作。 来源:柒色７
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