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irf7853pbf供应商优质现货

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irf7853pbf价格行情

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irf7853pbf中文资料

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

    全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v i

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36

  • IR推出开关式转换器应用的中电压MOSFET

    全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v

  • IR推出开关式转换器应用的中电压MOSFET

    全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v

  • 面向网络通信开关式转换器，IR推出N沟道MOSFET

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。”这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。8

  • IR推出面向网络通信系统中电压MOSFET

    (电子市场网讯) 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%

irf7853pbf替代型号

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