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IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0... IRF IRFB23N15DPDF下载
IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0... IRF [International Rectifier] IRFB23N15DPDF下载
IRFB23N15DPBF MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB IRFB23N15DPBFPDF下载
IRFB23N15DPBF HEXFET㈢Power MOSFET IRF [International Rectifier] IRFB23N15DPBFPDF下载

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IR推出峰值500W + 500W立体声输出D类音频放大器参考设计
电源管理技术领先供应商(ir)推出iraudamp1 d类音频放大器参考设计，当中的额定200v ir2011s高速栅驱动器集成电路，能针对功率级的每个声道驱动一对irfb23n15d hexfet mosfet，提供放大音频脉宽调制 (pwm) 波形。 iraudamp1参考设计是一个完整的模拟输入 d类音频功率放大器，具有4 ω的峰值500w + 500w立体声输出。它以一个自振式脉宽调制器为基础，有利于最大限度减少组件数目并实现耐用设计，兼具多项保护功能和内务操作电源，有助简化使用。该参考设计的主要作用，是展示ir2011s的应用方法，实施保护电路功能并设计出最完善的印板布局。 iraudamp1的性能特点如下： * 在1khz、100w、4ω下thd+n=0.008% * 在350w、1khz、4ω下效率高达93% * 工作电源的电压范围十分宽广，介乎 ±25 ~ 60v 参考设计中的保护电路包括过压和过电流保护功能，兼具输出直流电压保护，能避免直流电损坏扬声器。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“我们的目标是为工程人

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