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irfpc50
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irfpc50替代型号

当前位置：维库电子市场网>IC>irfpc50 更新时间:2025-06-18 04:14:48

irfpc50供应商优质现货

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供应商
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封装/批号
说明
询价

irfpc50
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

IRFPC50PBF
优势
6500
VISHAY
TO2473/24+
-

IRFPC50
168000
IR
TO247/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

IRFPC50
60
IR
TO247/06+
只做原装，也只有原装

IRFPC50
20000
IR
TO247AC/-
原装现货，欢迎实单，请加QQ

IRFPC50
12260
ＩＲ原装
SMD/DIP/23+
高品质优选好芯

IRFPC50
48000
ＩＲ原装
SMD/DIP/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务

IRFPC50
138000
IR
TO247/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

IRFPC50
60701
ＩＲ原装
SMD/DIP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

IRFPC50
41000
ＩＲ原装
SMD/DIP/24+
大量现货提供一站式配单服务

IRFPC50
51300
ＩＲ原装
SMD/DIP/24+
原装现货，可提供订货服务

IRFPC50
36000
Vishay
TO2473/2025+
只做原装有货

IRFPC50
28683
IR
TO247/21+
原装现货终端免费提供样品

IRFPC50
9210
ＩＲ原装
SMD/DIP/23+
只做原装更多数量在途订单

IRFPC50
5000
ＩＲ原装
SMD/DIP/23+
优势产品大量库存原装现货

IRFPC50
51005
ＩＲ原装
SMD/DIP/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务

IRFPC50
36000
IR
TO247/23+
亚太地区一级代理，二十年BOM配单专家，原装现货

IRFPC50
5000
ＩＲ原装
SMD/DIP/23+
原装库存，提供优质服务

IRFPC50
359307
IR
TO247/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

IRFPC50
8560
INTERNATI
NA/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

IRFPC50
30000
VISHAY/威世
TO247/2022+
进口原装现货供应，原装假一罚十

irfpc50PDF下载地址

序号元器件名功能描述生产厂商资料下载
IRFPC50 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60... IRF IRFPC50PDF下载
IRFPC50 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60... IRF [International Rectifier] IRFPC50PDF下载
IRFPC50A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0... IRF IRFPC50APDF下载
IRFPC50A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0... IRF [International Rectifier] IRFPC50APDF下载
IRFPC50LC Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60... IRF IRFPC50LCPDF下载
IRFPC50LC Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60... IRF [International Rectifier] IRFPC50LCPDF下载
IRFPC50KD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRFPC50KD2PDF下载
IRFPC50PBF MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC IRFPC50PBFPDF下载
IRFPC50PBF Power MOSFET VISAY [Vishay Siliconix] IRFPC50PBFPDF下载
IRFPC50APBF MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC IRFPC50APBFPDF下载

irfpc50价格行情

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历史最低报价：￥3.0000 历史最高报价：￥18.5000 历史平均报价：￥8.7375

型号厂家封装批号数量日期价格
IRFPC50 IR 04+ 2005/10/14 0:00:00 3.0000/pcs
IRFPC50 2005/10/14 0:00:00 5.4000/pcs
IRFPC50 TO-3P 2004/12/1 0:00:00 5.8000/pcs
IRFPC50 IR TO-3P 05+ 2008/1/30 0:00:00 6.0000/pcs
IRFPC50 IR TO-247 2004 2005/10/14 0:00:00 6.5000/pcs
IRFPC50 IR TO-247 05+/06+ 2008/1/30 0:00:00 6.8000/pcs
IRFPC50 IR TO3P 3 2005/10/14 0:00:00 7.5000/pcs
IRFPC50 IOR TO-3P 2004+ 2008/1/30 0:00:00 8.0000/pcs
IRFPC50 IR TO3P 3 2005/10/14 0:00:00 8.8000/pcs
IRFPC50 IR TOP-3 99 2005/10/14 0:00:00 9.5000/pcs

irfpc50中文资料

irfpc50中文资料
引脚图及结构图
相关资讯

场效应管（MOSFET）检测方法与经验
2．判定源极s、漏极d 由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。 3．测量漏-源通态电阻rds（on）将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。 4．检查跨导将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种vmos管功率模块

IRFPC50
10.0A/600V

常用场效用管
有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，最后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六种vmos管的主要参数。其中，irfpc50的外型如右上图所示。 vmos场效应管的检测方法（1）．判定栅极g 将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。（2）．判定源极s、漏极d 由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。（3）．测量漏-源通态
场效应管的工作原理
个管脚是绝缘的。（2）．判定源极s、漏极d 由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。（4）．检查跨导将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如