IRGP30B120KD-E
400
TO247AD/22+
只做全新原装，原厂原包装原标签
IRGP30B120KD-E
2001
TO247/00+
只做原装，专为终端工厂服务
IRGP30B120KD-EP
50
TO2473 Long Leads (TO247AD)/12+
-
IRGP30B120KD-EP
350
TO2473 Long Leads (TO247AD)/24+
-
IRGP30B120KD
168000
TO247/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRGP30B120KD
12260
TO/23+
高品质 优选好芯
IRGP30B120KD
48000
TO/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
IRGP30B120KD
138000
TO247/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRGP30B120KD
60701
TO/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
IRGP30B120KD
41000
TO/24+
大量现货 提供一站式配单服务
IRGP30B120KD
51300
TO/24+
原装现货，可提供订货服务
IRGP30B120KD
28683
TO247/21+
原装现货终端免费提供样品
IRGP30B120KD
9210
TO/23+
只做原装更多数量在途订单
IRGP30B120KD
51005
TO/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务
IRGP30B120KD
5000
TO/23+
原装库存，提供优质服务
IRGP30B120KD
25000
TO247/22+
只做原装进口现货，专注配单
IRGP30B120KD
3278
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
IRGP30B120KD
105000
TO247/23+
十年配单，只做原装
IRGP30B120KD
5000
TO/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
IRGP30B120KD
7300
TO247/23+
原装现货
IRGP30B120KD-E
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI...
IRF
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IRGP30B120KD-E
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI...
IRF [International Rectifier]
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IRGP30B120KD-EP
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI...
IRF [International Rectifier]
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IRGP30B120KD-EPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6...
IRF
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而设计的典型igbt电容曲线。cres曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到v接近15v，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau) 特性，c的实际值就可以进一步减小。 这种现象是由igbt内部的本征jfet引起的。如果jfet的影响可以最小化，c和c可随着vce的提高而很快下降。这可能减小实际的cres，即减小dv/dt感生开通对igbt的影响。 图3 需负偏置关断的典型igbt的寄生电容与v的关系。 irgp30b120kd-e是一个备较小c和经改良jfet的典型igbt。这是一个1200v，30a npt igbt。它是一个co-pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于to-247封装。 设计人员可减小多晶体栅极宽度，降低本征jfet的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。 对两种1200v npt igbt进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是ir公司的npt单正向栅驱动irgp30b120kd-e。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56Ω下驱
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