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摘要 以三星公司k9f2808uob为例，设计了nand flash与s3c2410的接口电路,介绍了nand flash在arm嵌入式系统中的设计与实现方法,并在uboot上进行了验证。所设计的驱动易于移植，可简化嵌入式系统开发。 引言 当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块设计是不可或缺的重要方面。nor和 nand是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。nor flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常用于程序代码的存储。与nor相比,nand闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的i/o端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。nand型flash具有极高的单元密度,容量可以比较大,价格相对便宜。 本文以三星公司的 k9f2808uob芯片为例,介绍了nand flash的接口电路与驱动的设计方法。文中介绍了开发nand flash驱动基本原理，意在简化嵌入式系统开发过程。 1 nand flash工作原理 s3c2410板的nand flash支持由两部分组成：集成在s3c2410 cpu上
储器件是一款性价比很高的超大容量数据存储器件，在mp3、u盘、数码相机和pda中有广泛的应用，且市场占有份额逐年加大。用该器件作为各种单片机尤其是嵌入式系统的数据存储器，可以完美地解决容量限制，实现灵活操作，势必成为数据存储的主流方向。1 器件介绍 nand结构flash是sumsung公司隆重推出并着力开发的新一代数据存储器件，电源电压1.7～3.6v，体积小，功耗低，容量最大可达1gb，按页进行读写，按块擦除，通过i/o口分时复用作为命令/地址/数据。本次应用开发的是nand结构16mb的k9f2808uob，其它大容量的器件只比该型号送出的地址多了几字节，操作指令和时序相同。具体结构说明如图1所示。 由图1可知，该器件由1k个块(block)组成，每个块有32页，每页有528字节，这528字节分成a、b、c三个区。对每一页的寻址需要通过i/o口送出三个地址，第二、三行地址（a9～a23）指明寻址到某一页，第一列地址指明寻址到页的指定区中某一字节。对页的分区命令如表1所列。表1 起始指针位置与区域关系对照表命 令 指针位置/字节 区 域 00h 0～255 阵列第一伴（a） 01h 256
sl811hs cypress cpld芯片 型号 厂家 封装 说明 资料下载 epm6016tc144 idt epm7128 altera epm7128eqc160 altera nand-flash芯片 型号 厂家 封装 说明 资料下载 k9f2808uob samsung k9f5608uob samsung k9f1208uom samsung k9f1g08uom samsung k9f2g08uom samsung n0r-flash芯片 型号 厂家 封装 说明 资料下载 am29lv400 amd am29lv800 amd
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