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当前位置：维库电子市场网>IC>lf253 更新时间:2025-06-27 10:53:55

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LF253 WIDE BANDWIDTH DUAL J-FET OPERATIONA... STMICROELECTRONICS LF253PDF下载
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历史最低报价：￥9.5000 历史最高报价：￥12.0000 历史平均报价：￥10.7500

ESD引起集成电路损坏原理模式及实例
大经济损失，而且严重地影响了工作进行。经调查与分析，判断失效由esd损伤引起。因为该ccd是超大规模集成电路，又属于mos型器件，它对esd特别敏感。根据静电敏感度，完全属于静电放电最敏感的器件之一，只要100伏的静电压，就可能损坏(与mos单管相差不多，甚至还要敏感)。经现场调查，工作间地板电阻率为1013~1014ω/cm，它已不属于防静电地板(防静电地板应为106~108)，工作人员采取了防esd措施，仍然有静电荷积累。全面地采取了防静电措施，这一失效就得到了有效的控制。f.双极运算放大器lf253在入厂检收和二次筛选中均发现失效，失效比例大约5％。经解剖分析发现，补偿端的铝条上有一小区域内有“变色”现象，这种变色点是由瞬变电过应力引起的局部高温造成，它可能是esd损伤引起的，因为lf253是双极型电路，使用者并未采取必要的防esd损伤措施，所以esd操作的可能性很大。利用“静电模拟器”进行模拟试验，发现补偿端与正电源之间的损伤电压仅有6kv而其他端可达5.0kv，可见，运算放大器也要采取必要的防静电措施。 g.彩电高频头内的mos场效应管常有失效发生。经过解剖分析，发现芯片表面有很

ESD引起集成电路损坏原理模式及实例
损失，而且严重地影响了工作进行。经调查与分析，判断失效由esd损伤引起。因为该ccd是超大规模集成电路，又属于mos型器件，它对esd特别敏感。根据静电敏感度，完全属于静电放电最敏感的器件之一，只要100伏的静电压，就可能损坏(与mos单管相差不多，甚至还要敏感)。经现场调查，工作间地板电阻率为1013~1014ω/cm，它已不属于防静电地板(防静电地板应为106~108)，工作人员采取了防esd措施，仍然有静电荷积累。全面地采取了防静电措施，这一失效就得到了有效的控制。 f.双极运算放大器lf253在入厂检收和二次筛选中均发现失效，失效比例大约5％。经解剖分析发现，补偿端的铝条上有一小区域内有“变色”现象，这种变色点是由瞬变电过应力引起的局部高温造成，它可能是esd损伤引起的，因为lf253是双极型电路，使用者并未采取必要的防esd损伤措施，所以esd操作的可能性很大。利用“静电模拟器”进行模拟试验，发现补偿端与正电源之间的损伤电压仅有6kv而其他端可达5.0kv，可见，运算放大器也要采取必要的防静电措施。 g.彩电高频头内的mos场效应管常有失效发生。经过解剖分析，发现芯片表面有很小的“