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mmbz12valt1g供应商优质现货

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  • MMBZ12VALT1G的技术参数

    产品型号:mmbz12valt1g齐纳击穿电压vz最小值(v):11.400齐纳击穿电压vz典型值(v):12齐纳击穿电压vz最大值(v):12.600@izt(ma):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(℃):3sot-23/-55~150价格/1片(套):￥.40 来源:零八我的爱

  • MMBZ12VALT1G的技术参数

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    齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400
    齐纳击穿电压Vz典型值(V):12
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    描述:表面安装双齐纳二极管,共阳
    封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
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mmbz12valt1g替代型号

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