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当前位置:维库电子市场网>IC>ntr1p02t1 更新时间:2025-07-23 18:59:32

ntr1p02t1供应商优质现货

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  • ntr1p02t1

  • BOM配单
  • 只做原装正品,提供一站式配套服务

  • 上传BOM

  • NTR1P02T1G

  • 5128

  • ONSemi/安森美

  • SOT23/23+

  • 原装有现货实单可谈

  • NTR1P02T1G

  • 3000

  • ON

  • SOT23/25+

  • ON全系列一级代理,深圳公司大量现货

  • NTR1P02T1G

  • 12000

  • NK/南科功率

  • SOT23/2025+520

  • --/专注替代/降本增效-

  • NTR1P02T1

  • 优势
  • 1650

  • ON/安森美

  • SOT23/21+

  • 泽芯微售出每颗芯片只能是原装83227865

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 5128

  • ONSemi/安森美

  • SOT23/23+

  • 原装有现货实单可谈

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 3200

  • ON

  • SOT23/22+PB

  • 进口原装现货,特价销售,库存数量不止,欢迎咨询

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 90000

  • ON/安森美

  • SOT23/24+

  • 一级代理现货,保证进口原装假一罚十价格合理

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 198

  • ON

  • SOT233/10+PB

  • 原装现货,假一赔十

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 96000

  • 一级代理

  • NEW/NEW

  • 一级代理保证

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 51000

  • ON

  • -/24/25+

  • 原装BOM一站配单

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 90000

  • ON

  • SOT23/22+

  • -

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 27268

  • ON

  • SOT23/22+

  • 只会做原装进口其他的都不会

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 3000

  • onsemi

  • SOT233/-

  • 400-800-8051

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 3000

  • ON/安森美

  • SOT23/23+

  • 全场支持检测

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 45000

  • ONSEMI

  • -/23+

  • 原厂渠道,现货,支持实单

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 15000

  • ON

  • SOT23/1352+

  • -

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 6000

  • ON

  • SOT23/22

  • 22

  • NTR1P02T1G

  • 优势
  • 68340

  • ON/安森美

  • SOT23/24+

  • 多光耦品牌授权代理,只做原装,支持开票

  • NTR1P02T1

  • 12260

  • ON

  • TSSOP/23+

  • 高品质 优选好芯

ntr1p02t1价格行情

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历史最低报价:¥0.4500 历史最高报价:¥1.2000 历史平均报价:¥0.8166

ntr1p02t1中文资料

  • NTR1P02T1的技术参数

    产品型号:ntr1p02t1源漏极间雪崩电压vbr(v):-20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):148@-10v最大漏极电流id(on)(a):-1通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23/-55~150描述:12a,60v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin

  • NTR1P02T1G的技术参数

    产品型号:NTR1P02T1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180
    最大漏极电流Id(on)(A):1
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
    描述:-20 V, -1 A,双功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.20

  • NTR1P02T1的技术参数

    产品型号:NTR1P02T1
    源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V
    最大漏极电流Id(on)(A):-1
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
    描述:12A,60V逻辑电平的功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.20...

ntr1p02t1替代型号

NTR1P02LT1G NTR1P02LT1 NTR0202PLT1G NTR0202PLT1 NTQD6968NR2G NTQD6866R2G NTP90N02G NTP90N02 NTP85N03 NTP75N06G

NTR1P02T1G NTR2101PT1G NTR4003NT1G NTR4101P NTR4101PT1G NTR4501NT1G NTR4502PT1G NTR4503NT1G NTS2101PT1G NTS4001NT1

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