带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
426
SOT563/18+
四雄微原装价优实在
12000
SOT563/2025+520
--/专注替代/降本增效-
NTZD3152PT1G
3200
SOT563/22+PB
进口原装现货，特价销售，库存数量不止，欢迎咨询
NTZD3152PT1G
90000
SOT563/24+
一级代理现货，保证进口原装假一罚十价格合理
NTZD3152PT1G
364
SOT563/10+PB
原装现货，假一赔十
NTZD3152PT1G
2435
SOT236/-
盘装
NTZD3152PT1
41101
SOT563/-
大量现货，提供一站式配单服务
NTZD3152PT1
5000
SOT563/2019+
原装 部分现货量大期货
NTZD3152PT1
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
NTZD3152PT1
11582
2016+/21+
亚洲最权威元器件配单商城
NTZD3152PT1
75546
SOT563/18+
原装现货可出样品-高价收新库存13632853267
NTZD3152PT1
1054
2016+/SOT563
代理直销，公司原装现货供应
NTZD3152PT1
63422
SOT563/2215+
原装现货，可提供一站式配套服务
NTZD3152PT1G
60000
-/21+
回收原装IC库存，只做全新原装
NTZD3152PT1G
400
SOT663/12+
全新原装现货
NTZD3152PT1G
6680
-/2024+
原装优势现货
NTZD3152PT1G
23412
SOT563/23+
提供一站式配单服务
NTZD3152PT1G
443
NA/25+
欢迎咨询，力挺实单
NTZD3152PT1G
500
SOT5636/2014+
公司现货只做原装
NTZD3152PT1G
31019
N/A/24+
只做原装合作一次终身受益
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
NTZD3152PT1GPDF下载
封装的mosfet降低60％，可导通更大电流。 安森美半导体的沟道mosfet有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因mosfet极易受到静电放电（esd）的损害，且封装越小，受esd损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道mosfet门，提供优异的esd保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于达850 ma高端负载开关的p沟道mosfet。提供单模式和双模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高达915 ma低端负载开关的n沟道mosfet。提供单模式和双模式。- ntzd3155ct1：互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。 每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的sot-563和三引脚高度0.8mm的 sc-89为扁平引脚封装。三引脚高度1.0mm的
增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚
等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。
产品型号:NTZD3152PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):900
最大漏极电流Id(on)(A):0.430
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150
描述:-20 V, -430 mA 双功率MOSFET
价格/1片(套):￥1....
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