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DUAL MOSFET DRIVER
TI
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DUAL MOSFET DRIVER
TI [Texas Instruments]
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DUAL MOSFET DRIVER
TI
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IC DUAL MOSFET DRIVER 8-SOIC
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DUAL MOSFET DRIVER
TI [Texas Instruments]
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SN75372P
DUAL MOSFET DRIVER
TI
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IC DUAL MOSFET DRIVER 8-DIP
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Dual MOSFET Drivers 8-PDIP 0 to 70
Texas Instruments
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SN75372DR
Dual MOSFET Drivers 8-SOIC 0 to 70
TI
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SN75372DR
IC DUAL MOSFET DRIVER 8-SOIC
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z，所以要想全频率工作，pll需要5倍频率，即30mhz×5=150mhz；jp3为mcbsp多引脚，其中用到了mdxa口，其他引脚在该发射编码程序中暂且不用。引脚spiclka、scitxda、spistea、mdxa还具有跳线设置功能，只有当scitxda设置为高电平，系统从flash开始执行程序。该芯片内部集成了看门狗，方便调试、节省资源。xmp/mc一般拉地，则该芯片就可认为是微计算机器状态，无须外扩flash和ram。 连续128位的编码激励信号经过dsp的mdxa口发出之后，送入sn75372非门进行电压提升。提升的电压可以驱动irfu420 nmos管，在mos管源极下拉电阻并在源极处取电压送入探头。当开始产生回波信号时，nmos截止，回波信号送入运算放大器ad8048同向放大，放大倍数为。为了改善放大部分的波形，在运放输出端加小电容滤波，去除尖锐沿，如图2。 2.3 软件系统设计 2.3.1 程序设计流程描述 dsp编码发射程序是在ccs2.0环境下实现的。整个系统过程包括程序代码的编写、程序调试以及在线将程序下载到片内flash中。 ccs（code comp
算得：若c1=c2=681 pf，则r1=11.7 kω，r2=19.5 kω，rf=117 kω。 末级放大电路是由普通的反向运算放大器和电阻元件构成。通过调节电位器来改变放大器的增益，使接收电路的输出幅值满足数据采集电路板ni6024的输入要求。 5 供电电源设计 在设计的参量阵收发电路中需要土175 v，±15 v，±5 v等电源。对于高压电源的设计，实验中采用推挽式稳压电源功率转换电路，具体电路如图6所示。 高压电源设计中，由ne555组成的电路提供脉冲信号，sn75372集成芯片是双通道与非门ttl/mos专用接口电路，其中管脚2是两个与非门公用的 使能输入端(高电平有效)，管脚1/7和管脚3/6分别是两个与非门的输入/输出端;管脚4是数字地;管脚8接5 v直流电源，管脚5接15 v直流电源。利用该接口电路，就可以直接用ttl电平来驱动mosfet功率管。r4与r5构成分压电路，用来确定mosfet功率管irf520的栅源 电压vgs，进而控制功率管导通时的漏极电流id;rs是限流电阻，用于限制漏级电流id的大小，它可以使功率管导通时的最大漏级电流im基本恒定，
产品型号:SN75372P
输出电压(V):24
开关电压(V):24
峰值输出电流(mA):500
驱动器数:2
输出箝位二极管:YES
输入兼容性:TTL
延迟时间(ns)典型值:20
封装/温度(℃):8PDIP/0~70
描述:双外设与非驱动器(带输出钳位二极管)<...
双电路在高速时具有驱动高电容负载能力；输出供电电压范围可达24V；低待机功耗
哪位大侠知道这个东东（sn75372）可以用什么代替是驱动场效应管的不好买呀 * - 本贴最后修改时间：2005-11-30 13:42:05 修改者：jiuri
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