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osfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa
（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa
属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet™制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流—直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa
mosfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa
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