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上一代产品降低多达40%，而且没有牺牲对其温度关系的严格控制。同时，通过对栅极指和覆盖式水平源极条氧化层的优化，确保内部栅电阻和固有电容都得到精确的控制。 除通态功耗大幅度降低外，新器件的开关功耗也很低。因栅极内部电阻得到控制，时间延迟缩短，从而使开关速度更快，达到新的高效开关电源的设计需求。此外，由于栅极固有电容被严格控制，交叉时间缩短和栅电荷减少得到保证，通过更加简单和更加低廉的栅极驱动电路，可以大幅度提高开关电源的效率。例如，在一个基于l4981的300w功率因数校正器上进行测试时，新产品stp25nm60n在230vac时的效率高达98%，输出功率达到250w。新的mdmesh mosfet系列产品可在高工作频率下提高效率，而且温度较低，所以，允许使用尺寸更小的磁器件和散热器，从而达到大幅降低设备尺寸的目的。 第二代mdmesh技术的另一个优点是，驱动器件的电压vgs变得更低，而电流处理能力变得更高。vgs电压范围被修改，驱动功能得到优化，噪声抑制能力增强，阈压范围保持不变。而且，新一代mdmesh技术支持更严格的rds (on)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用to-247、to-
电流参数：ID=20A电压参数：UDS=600V/UGS=±25V功 率：Ptot=160W其他参数:10V/0.14Ω极 性:N
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