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3V PH.MODULE 38KHZ S.VIEW
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3V PH.MODULE 56KHZ S.VIEW
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3V PH.MODULE 36KHZ S.VIEW
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TSOP32238
IC IR RCVR MOD 38KHZ DOME RADIAL
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TSOP32240
3V PH.MODULE 40KHZ S.VIEW
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3V PH.MODULE 56KHZ S.VIEW
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TSOP32338
IC IR RCVR MOD 38KHZ DOME RADIAL
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MOD IR RCVR 38KHZ SIDE VIEW
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TSOP32230UH1
IR Receiver Modules for Remote Contr...
VISAY [Vishay Siliconix]
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TSOP32237UH1
IR Receiver Modules for Remote Contr...
VISAY [Vishay Siliconix]
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v电压下工作的接收器能够将有用的电池寿命可延长4倍以上。 vishay的v系列产品的典型终端应用产品还包括电池供电的小型手持系统，比如数码相机、双向遥控器等相关的产品。为了在电池供电系统中进一步节能，接收器还具备有待机功能。 vishay的tsop系列红外接收器中有6种封装的10款型号提供v选项，包括： * 采用cast封装的tsop312…、tsop313…及tsop314… * 采用minicast封装的tsop38…及tsop39… * 采用模压封装的tsop32…及tsop34… * 采用标准smd封装的tsop35… * 采用heimdall封装的tsop75… * 采用bugeye封装的tsop85… 来源:qick
的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 ram (sram) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络raid存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于sram的系统设计。 ramtron 市场推广经理mike peters 称：“这款8-mb f-ram 并口存储器，以及我们最近发布的4-mb fm22ld16，都是设计用来满足客户在写入密集型数据应用中对更高存储容量的需求。这两款产品具引脚兼容特点，易于实现存储容量升级。系统设计人员使用fm23mld16，在与tsop32 封装相同大小的pcb空间上可将f-ram 密度提高7倍。” fm23mld16产品主要特性 fm23mld16是512k×16 的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，访问时间为60ns，一个访问周期为115ns。该器件以 ‘无延迟’ (nodelay?)的特点按照总线速度进行读写操作，擦写寿命至少为1e14 (100万亿) 次，并提供10年的数据保存能力。 相比需以电池供电的 sram (bbsram)，fm23mld16无需电池即可进行数据备份，性能更出众。作为真
读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 ram (sram) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络raid存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于sram的系统设计。 ramtron 市场推广经理mike peters 称：“这款8-mb f-ram 并口存储器，以及我们最近发布的4-mb fm22ld16，都是设计用来满足客户在写入密集型数据应用中对更高存储容量的需求。这两款产品具引脚兼容特点，易于实现存储容量升级。系统设计人员使用fm23mld16，在与tsop32 封装相同大小的pcb空间上可将f-ram 密度提高7倍。” 产品主要特性 fm23mld16是512k×16 的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，访问时间为60ns，一个访问周期为115ns。该器件以 ‘ 无延迟’ (nodelay™)的特点按照总线速度进行读写操作，擦写寿命至少为1e14 (100万亿) 次，并提供10年的数据保存能力。 相比需以电池供电的 sram (bbsram)，fm23mld16无需电池即可进行数据备份，
的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 ram (sram) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络raid存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于sram的系统设计。 ramtron 市场推广经理mike peters 称：“这款8-mb f-ram 并口存储器，以及我们最近发布的4-mb fm22ld16，都是设计用来满足客户在写入密集型数据应用中对更高存储容量的需求。这两款产品具引脚兼容特点，易于实现存储容量升级。系统设计人员使用fm23mld16，在与tsop32 封装相同大小的pcb空间上可将f-ram 密度提高7倍。” 产品主要特性 fm23mld16是512k×16 的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，访问时间为60ns，一个访问周期为115ns。该器件以 ‘无延迟’ (nodelay?)的特点按照总线速度进行读写操作，擦写寿命至少为1e14 (100万亿) 次，并提供10年的数据保存能力。 相比需以电池供电的 sram (bbsram)，fm23mld16无需电池即可进行数据备份，性能更出众。作为真正的表面封装焊解决
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产量在10kk的sop、tsop封装，谁家可以做？sop28、sop32、tsop32和tsopii44，以上封装国内有可以做的吗，我们的pad是分布在die的两边，不是四边的那种，所以对leadframe有一定要求，产量应该在10kk级。
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