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测量并抑制存储器件中的软误差
28年出现一次软误差。而一个采用了软误差率为600 fit/mbit的100gbits同步sram的标准高端路由器则有可能每17个小时出现一次错误。此外，软误差之所以重要还在于目前其fit率是硬可靠性故障的典型fit率的10倍以上。显然，对于蜂窝电话而言软误差并无大碍，但那些采用大量存储器的系统则有可能受到严重影响。ser的根源现在，您对软误差已经有了一个总的概念，下面对这些引发软误差的不同根源的机理逐个做一下简单的探讨。α粒子的影响半导体器件封装所采用的压模化合物中有可能含有诸如th232 和u238等杂质，这些物质往往会随着时间的推移发生衰变。这些杂质会释放出能量范围为2~9mev(百万电子伏特)的α粒子。在硅材料中，形成电子空穴对所需的能量为3.6ev。这就意味着α粒子有可能生成约106个电子空穴对。耗尽区中的电场将导致电荷漂移，从而使晶体管承受电流扰动。如果电荷转移量在0或1的状态下超过了存储于存储单元中的临界电荷量(qcrit)，则存储数据会发生翻转。宇宙射线的影响高能量的宇宙射线和太阳粒子会与高空大气层起反应。当发生这种情况时，将产生高能量的质子和中子。中子尤其难对付，因为它们能够

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