1. PMOS电路　　在MOS电路的发展过程中，最初采用的电路全部是用P 沟道 MOS 管组成的，这种电路称为 PMOS 电路。

　　VD0PMOS 反相器的电路结构如图3.4.1 所示，其中T和′T都是 P 沟道增强型 MOS 管。因为 PMOS 工艺比较简单，成品率高、价格便宜，所以曾经被广泛采用。T但是，PMOS 反相器有两个严重的缺点。
　　第一，它的工作速度比较低。因为 P 沟道 MOS管的导通电流是由空穴运动形成的，而空穴的迁移率比电子的迁移率低得多，所以为了获得同样的导通电阻和电流，P沟道 MOS 管必须有更大的几何尺寸。这就使P 沟道 MOS管的寄生电容要比 N 沟道 MOS管的寄生电容大得多，从而降低了它的速度。　　第二，由于 PMOS 电路使用负，输出电平为负，所以不便于和TTL 电路连接，使它的应用受到了限制。基于上述原因，在 NMOS工艺成熟以后，PMOS电路就用得越来越少了。

　　2.NMOS 电路
　　全部使用NMOS管组成的称为 NMOS 电路。由于 NMOS 电路工作速度快，尺寸小，加之NMOS工艺水平的不断提高和完善，目前许多高速数字集成电路产品仍采用 NMOS工艺制造。

　

     　图3.4.2 给出了 NMOS反相器的两种常见形式。由于负载管的类型和工作方式不同，它们的性能也不一样。

　　图3.4.2(a)中的负载管T和驱动管T都是增强型MOS管，因而称为增强型负载反相器，简称E/EMOS电路。图3.4.2(b)电路的负载管'T是耗尽型MOS管，故将这个电路称为耗尽型负载反相器，简称E/DMOS电路。
　　为了分析这两个电路的输出特性，需要找出负载管的伏安特性。
　　在图3.4.2(a)所示增强型负载反相器电路中，负载管'T始终工作在vcs=vD5的状态，只要将T漏极特性上所有vc5=vDs的各点连起来，就得到了T管的伏安特性,如图3.4.3所示。
　　在图3.4.2(b)所示耗尽型负载反相器电路中，由于负载管'T始终工作在v∞5=0的状态，所以漏极特性曲线中v=0的一条曲线就是T管的伏安特性曲线,如图3.4.3 所示。
　　当T突然截止时，反相器的输出电压：v随负载电容C的充电而升高，负载电流即T管的漏极电流。i。根据v0=VvDv05即可做出i随v。变化的曲v线，如图3.4.4所示。此即反相器的输出特性。
　　比较一下图3.4.4中的两条输出特性不难看出，耗尽型负载反相器在v上升的绝大部分区间里一直能向负载电容提供较大的充电电流，而增强型负载反相器所能提供的充电电流随v上升迅速减小。因此，耗尽型负载NMOS 反相器电路的开关速度比较快，这也正是高速 NMOS 电路中多半采用E/DMOS工艺的原因所在
　　综合 N 沟道耗尽型负载、短沟道、硅栅自对准工艺等各项技术所生产的MOS电路不仅功耗-延迟积很小，而且有很高的集成度。这种集成电路又称为高性能 MOS电路(简称 HMOS电路)。