纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 ...
时间：2025-06-04 阅读：256 关键词：纳芯微
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向拓扑；选择同步的降压/反向提升转换器。最大化能源效率也是至关重要的，在这里，设计...
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池...
电动车设计师的目的是使电动汽车更轻，更自动，并且通过提供更多功率，降低系统尺寸并最大程度地减少散热的场所，并使用较小的电池。 通过在电力转换，高频切换和热管理...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2025-02-28 阅读：349 关键词：GAN ADVANTS EV电源
由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的...
步骤 1 – 栅极驱动器选择 驱动 GaN 增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 的栅极与驱动硅 (Si) MOSFET 的栅极有相似之处，但也有一些有益的区别。 驱动 GaN E-HEMT 并...
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 目前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准。在该标准中，大多数规格，包括输入和输出...
第一种配置是微型逆变器，它为安装中的每个面板使用逆变器，确保每个面板都能发挥其全部能源潜力。第二个是串式逆变器，它将多个面板连接在一起并向中央逆变器供电。然而，...
传统两级与单级转换 在传统的两级功率转换系统中，功率因数校正（PFC）和DC/DC转换是分开处理的，需要多个组件并导致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的复杂性。 由...
时间：2024-11-27 阅读：717 关键词： GaN 开关
STS8200 用于动态测试三个 p-GaN HEMT 器件。这些标有 A/B/C 的 650 V 额定器件来自不同制造商，典型室温导通电阻 (RDSON) 额定值分别为 240 mΩ、130 mΩ 和 40 mΩ。如图 1 所示的测试电路使用可调电阻负载来实现...
结合 GaN IC 的横向和垂直几何形状 结合两全其美是垂直 GaN 功率 IC 开发背后的座右铭。 横向 GaN 技术及其HEMT 设计彻底改变了电力电子领域，与传统的硅基功率晶体...
漏极过电压应力 在开关转换期间，功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会影响这些过冲的严重程度，包括正在切换的电流的转换率 (dI/dt) 以及与封装和外部连接...
分类：元器件应用 时间：2024-10-31 阅读：308 关键词：p-GaN HEMT功率器件
保护 USB 端口、不同电源供电的设备的开关电路以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖于双向电压阻断和电流传导。到目前为止，设计人员只能使用两个在共源极配置中背对背连...
共源共栅和 E 模式 GaNFET 的演变和可靠性 共源共栅 GaN 的结构如图 1 (a) 所示，在共源共栅配置中结合了低压常关硅 MOSFET 和高压常开 GaN HEMT。该组合有效地产生了增...
分类：电源技术 时间：2024-10-09 阅读：564 关键词： GaNFET
带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提出了挑战。 当功率半导体的开关频率超过 100 kHz 时，仅将模拟步骤减少到略低于 1 ...
分类：电子测量 时间：2024-09-14 阅读：407 关键词：SiC转换器
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽...
集成与外部电流检测电阻 在电力电子应用中，例如反激式转换器或功率因数校正 ( PFC )，通常会检测开关电流以进行峰值/谷值电流模式控制或过流保护。如表 1 所示，有几种...
