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FDS6676AS

更新时间:2025-06-13 15:48:34

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS6676AS 概述

FDS6676AS是飞兆半导体（现为安森美半导体）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效的功率转换应用。其典型应用场景包括直流-直流转换器、负载点调节器以及电池供电设备中的电源管理电路。由于其优化的栅极电荷和低Rds(on)，能在减少功耗的同时提高系统效率。在设计时应注意适当的PCB布局以优化散热性能，并确保驱动电压满足阈值要求以实现稳定工作。此元件在便携式设备和工业控制领域也有广泛应用。

FDS6676AS 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®, SyncFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
14.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫欧 @ 14.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2510pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS6676AS-NDFDS6676ASTR

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