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irf6641trpbf供应商优质现货

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  • 亚太地区一级代理，二十年BOM配单专家，原装现货

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  • 一级代理商可提供技术方案支持

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irf6641trpbf价格行情

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历史最低报价：￥0.0000 历史最高报价：￥0.0000 历史平均报价：￥0.0000

irf6641trpbf中文资料

  • 标准包装:

    4,800

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    4.6A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    59.9 毫欧 @ 5.5A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4.9V @ 150µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    48nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    2290pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    2.8W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    DirectFET? 等容 MZ

  • 供应商设备封装:

    DIRECTFET? MZ

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    IRF6641TRPBF-NDIRF6641TRPBFTR

  • IR最新MOSFET效率高达95%

    ir推出irf6641trpbf功率mosfet，采用ir标准的directfet封装技术结合ir最新的200vhexfet mosfet硅技术，可实现 95% 的效率。 ir 新推出的 200v directfet 器件是应用于专为 36v 至 75v 通用输入范围内操作的隔离式 设计dc-dc转换器。其超低的 51 mω典型10v 导通电阻rds(on) 及减低了的栅极电荷，使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的 dc-dc 转换器、新一代中间总线转换器、dc 马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的 48v 变频器的同步整流。在 48v 通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流 ac-dc 转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir 的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf 与其他采用次级同步整流插座的增强 so-8 器件相比，当每个插座所使用的增强 so-8 器件的数目相同时，新的 directfet 器件的效率可提高 0.4% 。此外，当每个插座使用两个增强so-8器件时，ir 的新器件也能提供同样

  • IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95% 并大幅节省占位空间

    国际整流器公司 (ir) 推出irf6641trpbf功率mosfet，采用ir标准的directfet封装技术结合ir最新的200v hexfet mosfet硅技术，可实现95%的效率。 ir新推出的200v directfet器件是应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on) 及减低了的栅极电荷，使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的 dc-dc 转换器、新一代中间总线转换器、dc 马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗directfet moset就能比较两颗或三颗so-8器件节省超过50% 的空间。” ir

  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高达95%

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  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高达95%

    国际整流器公司(international rectifier，ir)新推出的200v directfet器件应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on)及减低了的栅极电荷，使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的dc-dc转换器、新一代中间总线转换器、dc马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。1颗directfet moset就能较2或3颗so-8器件节省超过50%的空间。” ir的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比，当每个插座所使用的增强so-8器件的数目

  • IR最新小封装200V DirectFET MOSFET效率高达95%

    ir新推出的200v directfet器件是应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式 设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on)及减低了的栅极电荷，使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的dc-dc转换器、新一代中间总线转换器、dc马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗directfet moset就能比较两颗或三颗so-8器件节省超过50%的空间。” ir的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比，当每个插座所使用的增强so-8器件的数目相同时，新的directfet

irf6641trpbf替代型号

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