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irf6646中文资料

  • IR推出新型DirectFET MOSFET芯片组

    国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v及36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激及推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。 业界标准的300w四分之一砖设计往往包含多达10个mosfet（4个初级和6个次级）、1个脉宽调制（pwm）集成电路及2个半桥驱动器集成电路。ir的新芯片组方案则只有6个mosfet（4个初级和2个次级）及1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。 此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1

  • IR新型隔离式DC-DC转换器工作效率达97％

    fet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。

  • IR推出新型330W隔离式DC-DC转换器参考设计

    et功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新

  • DirectFET MOSFET芯片组最大化总线转换器

    国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。 irf6646和irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v和36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激和推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω，可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ，是

  • IR新型隔离式DC-DC转换器工作效率达97%

    ectfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参

  • IR推出新型330W隔离式DC-DC转换器参考设计

    tfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“ir在ir2086s控制ic上使用的高压ic技术与一流的directfet mosfet封装技术配合，可使温度比标准方案降低40°c，从而增加系统的可靠性。” ir2086s

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