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基于TMS320F2812的中低压电机保护系统
和zone7 共用一个片选线。且每个区都有独立的等待状态、选通信号建立和保持时间，都能通过编程实现设置。这便可使f2812 与一些外部存储器之间实现无缝连接。k9k1208uom 存储器的地址、命令和数据信息均通过闪存的i/o 口传输，不需要通过地址线寻址，因此无需考虑采用页面技术解决逻辑存储空间与物理空间的映射问题，大大简化了f2812 与flash 的硬件连接，结合接口xintf 的时序和k9k1208uo6m 的时序的特点，其应用电路如图3 所示。图3 tms320f2812 与k9k1208u0m 接口图。利用f2812 的zone0 实现对k9k1208u0m 的读写操作。f2812 的低8 位数据线直接与闪存的i/o0-i/o7 相连； f2812 的通用i/o 口gpiog4 接r/b,监测存储器的工作状态，当r/b 处于低电平时，表示有编程、擦除或随机读操作正在进行，操作完成后，r/b 会自动返回高电平。由于当r/b 为低时选线必须为低，并要持续至少10us,而在此期间 , 都为高，因此就不能利用脚。选gpioe2 引脚接闪存的片选线 . f2812 的、分别接闪存的

K9K1208U0M
电源电压：VCC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(64M＋⒛48K)×8位,数据存储器：〈512＋16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512＋16)字节,块擦除：(16K＋512)字节；528字节页读操作：随机存取：10μs(最大值),串行访问：60ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间；指令存储器操作；封装：48引脚的TSOP封装

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